晶体生长|3分钟了解晶体生长技术( 二 )

气相法晶体生长有以下特点：
1）生长的晶体纯度高；
2）生长的晶体完整性好；
3）晶体生长速度慢；
4）有一系列难以控制的因素，如温度梯度、过饱和比、携带气体的流速等。
4固相生长
从固相中生长晶体的主要优点在于：
1）可以在不添加组分的情况下较低温进行生长，即在熔点以下的温度生长；
2）生长晶体的形状是事先固定的，所以丝、箔等形状的晶体容易生长出来；
3）取向常常容易得到控制；
4）除脱溶以外的固相生长中，杂质和其他添加组分的分布在生长前被固定下来，并且不被生长过程所改变（除稍微被相当慢的扩散所改变外）。
从固相中生长晶体的方法主要有五种：
（1）利用退火消除应变的再结晶；
（2）利用烧结生长；
（3）利用多形性转变生长；
（4）利用退玻璃化再结晶；
（5）利用固态沉淀再结晶（有时称作百思特网脱溶生长，此法尚未用于单晶生长）。

【晶体生长|3分钟了解晶体生长技术】

晶体生长方法的分类
总的来说，如果把晶体生长全过程进行分解的话，它至少应该包括以下几个基本过程：溶质的溶解、晶体生长基元的形成、晶体生长基元在生长介质中的输运、晶体生长基元在晶体表面上的运动与结合以及晶体生长界面的推移，从而实现晶体生长。因此，从宏观角度看，晶体生长过程是晶体—环境相(蒸气、溶液、熔体)界面向环境相中不断推移的过程，也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变。从微观角度来看，晶体生长过程可以看作一个“基元”过程，所谓“基元”是指结晶过程中最基本的结构单元。从广义上说，“基元”可以是原子、分子、也可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体。